晶圆表面有机污染分析
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随着半导体集成度越来越高，制造过程需要更高标准的清洁度。晶圆表面挥发气体分析（WOS-GCMS）可以将硅片表面吸附的有机物进行定性和定量的分析，从而辅助提升良率。
原理
硅片在氦气中加热，脱附下来的有机物被适宜的吸附剂收集。然后，将收集到的挥发性有机物重新解析、冷却和浓缩，并通过GCMS进行分析。
技术特点
晶圆尺寸：2-12英寸
样品加热气氛：He气
温度：室温至700摄氏度（保温温度可达500摄.氏度）
质量范围：m/z 27-1050
灵敏度（DL）：0.1ng （十六烷换算）
可指定分析正/反面
案例分析
通过WOS-GCMS分析在普通房间中放置数小时的晶圆。
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